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Kurk Mathews

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Articles by Kurk Mathews

低耐圧のGaNをベースとする降圧コンバータ、そのゲートの駆動方法と評価方法を確立する

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By Kurk Mathews
| TECH+
はじめに GaN FETには、シリコン・ベースのFET(以下、シリコンFET)と比べてスイッチング速度が速いという特徴があります。それに加え、電力損失が少なく、パッケージを小型化できるという長所も備えています。これらの理由から、GaN FETを使用して構成したDC/DCコンバータは、より高いスイッチング周波数で動作させることができます。 しかも、高い効率を維持しつつ、ソリューション全体のサイズを抑えることが可能です。GaN FETを使用するDC/DCコンバータの基本的な設計は、シリコンFETを使用する場合と比べて大きく異なるわけではありません。とはいえ、いくつかの新たな課題が生じることも事実です。 また、設計だけでなく、回路の評価方法についても解決すべき課題が生じます。特に重要な課題の1つは、GaN FETのゲートの駆動に関連する電圧(以下、これらを総称して「ゲート制御電圧」と呼ぶことにします)とそのタイミングを精密に管理することです。GaN...
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Low Voltage GaN Converter Gate Drive and Measurement

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By Kurk Mathews
Figure 1 Abstract This article discusses the need for precise gate voltage control and accurate gate measurements when using gallium nitride field-effect transistors (GaN FETs). High-side gate measurements taken with advanced isolated probes are compared to those obtained using alternative equipment and techniques.
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A Practical Method for Separating Common-Mode and Differential-Mode Emissions in Conducted Emissions Testing

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By Ling Jiang, Frank Wang, Keith Szolusha, Kurk Mathews
| Embedded Computing Design Verified
August 09, 2021 Blog EMI from switching regulators is broken down into radiated and conducted emissions (CE). This article focuses on conducted emissions, which can be further classified into two categories: common-mode (CM) noise and differential-mode (DM) noise. Why the CM-DM distinction? EMI mitigation techniques that are effective for CM noise are not necessarily effective for DM noise, and vice versa, so identifying the source of conducted emissions can save time and money in suppressing it.
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